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KingstonDDR3擁有更快的速度、更高的資料頻寬、更低的能量消耗和更優的終端性能。

Kingston DDR3 為第三代 DDR 記憶體技術。 Kingston DDR3 擁有更快的速度、更高的資料頻寬、更低的能量消耗和更優的終端性能。

過去幾年，金士頓一直與 JEDEC （記憶體工業標準組織）以及 DRAM 、系統及主機板製造商緊密合作，共同開發 DDR3 記憶體技術。

DDR3 記憶體晶片採用 FBGA 封裝方式，以改進其耗電和散熱性能。DDRIII 1600 FBGA封裝技術, 依照JEDEC標準時脈1600MHz 11-11-11於1.5V電壓, 204pin腳數

DDR3 記憶體無論是在 Pin 腳數、工作電壓以及 DRAM 晶片技術等方面都與 DDR 不同。

KingSton 金士頓 4G DDR3-1600 低電壓筆記型記憶體

記憶體類型： DDR3 Memory
針腳及模組： 204Pin SO-DIMM
頻率： DDR3-1600MHz
功能： Unbuffer Non-ECC Memory
容量： 4GB
顆粒： 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓： 1.5 V or 1.35V(雙電壓自動切換)
ＣＬ值： 11

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JEDEC 符合性

保固

所有 Kingston ValueRAM 記憶體均具有終身保固。

測試

Kingston 對所有記憶體產品均進行百分之百測試。此外，ValueRAM 伺服器記憶體經過動態燒機測試 (Dynamic Burn-in Testing)，大幅降低初期故障(ELF) 的問題。

商品說明

資料來源：金士頓

商品規格

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JEDEC 制訂了半導體工程的標準，同時也是電子工業聯盟 (Electronic Industries Alliance，EIA) 的半導體標準化組織。大約有 300 間分別代表此產業各個部份的公司積極參與開發符合產業需求的標準。 Kingston Technology 長期身為 JEDEC 蕫事會一員，也致力於協助制定記憶體技術的產業標準。所有 Kingston 記憶體均完全符合 JEDEC 規範，JEDEC 是主要半導體製造商所採用的重要規範。

型號:KVR16LS11/4

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※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。

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